[发明专利]半导体组件的球栅数组金属球制造方法无效
申请号: | 200510118602.8 | 申请日: | 2005-10-31 |
公开(公告)号: | CN1959935A | 公开(公告)日: | 2007-05-09 |
发明(设计)人: | 张鸿租;白忠巧;龙港文;林仕祥;龙昌宏 | 申请(专利权)人: | 胜开科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明半导体组件的球栅数组金属球制造方法,其包括下列步骤:提供一半导体组件,其设有复数个电极;提供一治具于该半导体组件上,该治具位于该复数个电极位置形成有透孔;以网印方式将锡膏涂布于该治具上,使锡膏落入该透孔内,并以刮刀自治具10表面刮除露出的锡膏18;及将半导体组件经过回焊炉,使锡膏熔融,冷却后即于该半导体组件上形成球栅数组金属球。 | ||
搜索关键词: | 半导体 组件 数组 金属 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体组件的球栅数组金属球制造方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一半导体组件,其设有复数个电极;提供一治具于该半导体组件上,该治具位于该复数个电极位置形成有透孔;以网印方式将锡膏涂布于该治具上,使锡膏落入该透孔内,并以刮刀自治具表面刮除露出的锡膏;取出治具;将半导体组件经过回焊炉,使锡膏熔融,冷却后即于该半导体组件上形成球栅数组金属球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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