[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510118633.3 | 申请日： | 2005-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1808700A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 宫田里江;沟口修二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够抑制因牺牲氧化工序和栅极氧化形成工序而引起的沟道区域的杂质浓度的下降，从而较容易地控制沟道区域的杂质浓度且获得所希望的Vt的半导体装置及其制造方法。通过在沟渠T的壁面上形成栅极绝缘膜4的工序之后，利用离子注入法形成为沟道区域的P型衬底区域3，来形成在深度方向上具有很陡的坡度的P型杂质浓度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：工序a，在半导体衬底形成第1导电型第1半导体区域，工序b，在上述半导体衬底形成到达上述第1半导体区域的规定部位的沟渠，工序c，在上述沟渠壁面上形成栅极绝缘膜，工序d，在上述工序c后，在上述半导体衬底内的上述第1半导体区域上形成第2导电型第2半导体区域，工序e，在上述沟渠内的上述栅极绝缘膜上形成第1导电型栅极电极，以及工序f，在上述半导体衬底内的上述第2半导体区域上形成第1导电型第3半导体区域；在上述工序e中，上述栅极电极形成为在上述栅极绝缘膜上分别跨越上述第2半导体区域、上述第1半导体区域中的位于上述第2半导体区域下侧的部分、和上述第3半导体区域中的位于上述第2半导体区域上侧的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
