[发明专利]半导体发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200510118739.3 | 申请日： | 2005-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1770490A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 井口缘织;梅田浩;仓桥孝尚;渡边信幸;村上哲朗 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：准备形成有含有发光层的至少一个半导体层的第一芯片的工序；在所述第一芯片表面配置对所述发光层的发光波长透明的第二芯片的工序；在所述第一芯片及第二芯片中的至少一个上设置防止该第一芯片及第二芯片的接合不良的防接合不良结构的工序；在所述第一芯片和第二芯片相接的接触面上作用压缩力，同时，加热所述接触面的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510118739.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
