[发明专利]在存储器件中制造三沟道晶体管的方法

摘要

本发明所揭露的是一种制造存储器件的晶体管的方法，该方法在形成低电阻的栅电极时能防止孔隙的生成。这种方法包括通过蚀刻半导体衬底形成有源区域，在半导体衬底中形成场氧化层以及通过蚀刻场氧化层形成凹陷部。栅极绝缘层沿着有源区域的上表面和有源区域暴露的部分形成。栅电极在场氧化层上形成，使得栅电极穿过有源区域的上部延伸，同时与沟道区凹陷部重迭。将要被构图的第一导电层具有相同的厚度，使得低电阻栅电极可以轻易制作而不会形成孔隙。

主权项

1.一种在具有半导体衬底的存储器件中制造晶体管的方法，该方法包括步骤：蚀刻所述半导体衬底形成有源区域，其中在所述有源区域的两侧形成两个沟槽；在每个沟槽中形成场氧化层；在所述有源区的一侧上通过蚀刻一部分所述场氧化层形成第一凹陷部，并在所述有源区的另一侧上通过蚀刻一部分所述场氧化层形成第二凹陷部，其中所述第一凹陷部和第二凹陷部在所述有源区域两侧沿同一直线延伸，且其中所述第一和第二凹陷部暴露所述有源区域的预定侧面部分；在所述有源区域的上表面上和所述有源区域的暴露侧面部分上形成栅极绝缘层；以及在沿着所述第一和第二凹陷部的所述场氧化层上以及所述有源区域上形成栅电极，使得所述栅电极跨过所述有源区域同时与所述有源区域的沟道区重迭。