[发明专利]磁随机存取存储器无效
| 申请号： | 200510118783.4 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1783337A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 梶山健 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种磁随机存取存储器。将MTJ元件在半导体衬底上边叠置成多层。MTJ元件的固定层上，连接有起读出线功能沿X方向延伸的第1导电线。MTJ元件的自由层上，连接有起写入线和读出线功能沿X方向延伸的第2导电线。写入线沿Y方向延伸，并为在其上下存在的两个MTJ元件所共用。在写入线上下存在的两个MTJ元件，相对于其写入线对称地进行配置。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器，包括：由固定自旋方向的第1磁性层、存储数据的第2磁性层、和夹入该第1与第2磁性层之间的绝缘层构成的第1和第2MTJ元件；以及配置于该第1和第2MTJ元件之间，产生作用于该第1和第2MTJ元件的磁场的第1写入线，其特征在于：构成该第1MTJ元件的第1磁性层、绝缘层和第2磁性层，与构成该第2MTJ元件的第1磁性层、绝缘层和第2磁性层的位置关系为，相对于该第1写入线对称。
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