[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510118788.7 | 申请日： | 2005-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1832127A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 木村伟作夫 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/336;H01L23/522;H01L23/485;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：不发生因尖楔现象和金属布线所含有的析出物而导致劣化的绝缘膜，和功函数高的栅电极。本发明还提供一种可通过较少的光刻胶图形掩模的形成步骤来制造的该半导体器件的制造方法。在栅氧化膜(16)上形成多晶硅膜(17)。在栅氧化膜(16)和多晶硅膜(17)的层积体上形成源/漏区接触孔。此后，在该多晶硅膜(17)上以及源/漏区接触孔内形成金属膜(18)，从而形成由该多晶硅膜(17)和金属膜(18)构成的层积体。然后，使该层积体形成图形，分别同时形成由该多晶硅层和金属层的层积构造体所构成的栅电极和源/漏区接触布线层。另外，沟道截断环与高浓度扩散区同时形成以替代场氧化膜的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在半导体衬底的上方形成第1绝缘膜；在所述第1绝缘膜上形成包含多晶硅膜和隔着该多晶硅膜与所述第1绝缘膜相分隔的金属膜的层积体；和通过使所述的层积体形成图形，同时形成第1布线层、第1电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冲电气工业株式会社，未经冲电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510118788.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
