[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 200510118815.0 申请日: 2005-10-29
公开(公告)号: CN1797605A 公开(公告)日: 2006-07-05
发明(设计)人: 小山润;安部宽子;汤川干央;岩城裕司;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40;G11C16/06;G11C17/08;H01L27/28;H01L27/105;G06K19/07;G06K19/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种半导体器件,该半导体器件在制造过程以外时也可以写入数据,并且可以防止因改写的伪造。此外,本发明的目的是以廉价提供由简单结构的有机存储器来构成的半导体器件。通过构成将晶体管并联连接或串联连接到具有有机化合物层的有机元件的存储单元,并串联连接或并联连接该存储单元,而构成NAND型或NOR型存储器。所述有机元件可以通过施加电流或电压、照射光等来不可逆性地改变其电气特性。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:具有并联连接有机元件和晶体管的结构的多个存储单元;串联连接所述多个存储单元的多个存储单元列;以及在每个所述多个存储单元列的一端提供的检测该存储单元列的信号的装置。
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