[发明专利]半导体处理设备无效
| 申请号： | 200510118899.8 | 申请日： | 2000-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1783415A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·E.·维克 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065;H05H1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种等离子体处理室，包括表面暴露在处理室内部空间的粉浆浇注部件。粉浆浇注部件包括其内所含的游离硅和表面的保护层，该保护层保护硅免受处理室内部空间中的等离子体轰击。粉浆浇注部件可由粉浆浇注碳化硅制成，表面涂有CVD碳化硅。粉浆浇注部件包括处理室的一个或多个部件，例如晶片通道衬垫(21)、一整片或多个瓷片构成的衬套(20)、等离子体挡板(22)、喷淋头、绝缘元件等等。在采用等离子体刻蚀如氧化硅之类的绝缘体材料时，粉浆浇注部件减少了等离子体处理时的颗粒污染和处理偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种粉浆浇注部件，用在等离子处理室中，所述粉浆浇注部件包括：游离硅；以及保护层，用于保护硅免受处理室中的等离子体轰击。
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