[发明专利]菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用有效
| 申请号： | 200510119001.9 | 申请日： | 2005-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1803792A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 耿延候;田洪坤;史建武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C07D333/04 | 分类号： | C07D333/04;C07D495/04;C07D519/00;C07D513/04;H01L51/30 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 马守忠 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子材料技术领域，涉及菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及将其作为传输层用于有机薄膜晶体管。该菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体结构通式如右式。本发明提供的菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体具有高的热稳定性和环境稳定性，可通过真空升华的方法得到高纯度产品，且具有高迁移率的特点，还由于在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，所以作为传输层应用于有机薄膜晶体管中，用其制备的器件在空气中稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 杂化高 迁移率 有机半导体 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体，其特征在于，它具有如下结构通式：![]()
其中![]()
包括以下通式结构：![]()
n＝1-4 (I)![]()
x＝C，N n＝1-2 (II)![]()
x＝C，N (III)
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