[发明专利]聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510119116.8 申请日: 2005-12-28
公开(公告)号: CN1819293A 公开(公告)日: 2006-08-16
发明(设计)人: 刘雅言;吴亚男;郇彦;杨一飞;郭川 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/22;B29C47/00
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 马守忠
地址: 130022吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法。传感器为长方形薄片状,厚度为30~50μm。将聚偏氟乙烯树脂挤出成膜,然后进行同步拉伸极化,利用模具进行真空镀膜,获得具有压电效应的适合用于电子白板的传感器。拉伸比为4.5∶1,极化温度为65~90℃,极化电场为20~80MV/m。镀膜材料为银和铝,电极的厚度为50~100nm,镀膜的真空度为1×10-3~5×10-3Pa,引出电极之间的距离是21.6mm。本发明的制备工艺简便,易于操作,成本较低并且产品性能稳定。
搜索关键词: 聚偏氟 乙烯 压电 薄膜 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种聚偏氟乙烯压电薄膜传感器,其特征在于,它由聚偏氟乙烯材料制成的侧面带有耳状的电极(3)和(4)的长方形的基片薄膜(1),在基片薄膜(1)上面有镀铝层或镀银层或镀银镀铝层(2),电极(3)和(4)上分别有小孔(5)和(6),将与引出电极平行的基片薄膜1的两边粘结成圆筒状构成的聚偏氟乙烯压电薄膜传感器。
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