[发明专利]功率MOSFET驱动器及其方法有效
| 申请号： | 200510119191.4 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1815866A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 保罗·J·哈里曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155;H02M1/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，功率MOSFET驱动器使用了两个不同的电压，用于该功率MOSFET驱动器的两个输出驱动器的操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 驱动器 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种功率MOSFET驱动器，包括：耦合的第一晶体管驱动器，其在具有第一值的第一电压下运行并形成第一驱动信号以可操作地驱动第一MOS晶体管；和耦合的第二晶体管驱动器，其在具有第二值的第二电压下运行并形成第二驱动信号以可操作地驱动第二MOS晶体管。
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