[发明专利]光致抗蚀剂的去除方法以及半导体元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200510119329.0 申请日: 2005-11-03
公开(公告)号: CN1959944A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: 黄文贤;杨闵杰;廖俊雄 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;G03F7/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率的方法,此方法是在形成光致抗蚀剂层之前先对衬底进行前处理工艺,此前处理工艺例如是一种等离子体工艺。此方法可应用于半导体元件的制造中,以避免光致抗蚀剂暴裂、维持此半导体元件的完整性,以及增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率。
搜索关键词: 光致抗蚀剂 去除 方法 以及 半导体 元件 制造
【主权项】:
1.一种半导体元件的制造方法,包括:在一衬底上形成一栅极;在该衬底中形成一轻掺杂源极/漏极区;在该栅极的侧壁形成一间隙壁;对所裸露的该栅极、该间隙壁以及该衬底进行一前处理工艺;在该衬底上形成一图案化光致抗蚀剂层;以该图案化光致抗蚀剂层、该栅极和该间隙壁为掩模,进行离子注入工艺,以于该衬底中形成一源极/漏极区;以及去除该图案化光致抗蚀剂层。
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