[发明专利]光致抗蚀剂的去除方法以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200510119329.0 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1959944A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄文贤;杨闵杰;廖俊雄 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率的方法，此方法是在形成光致抗蚀剂层之前先对衬底进行前处理工艺，此前处理工艺例如是一种等离子体工艺。此方法可应用于半导体元件的制造中，以避免光致抗蚀剂暴裂、维持此半导体元件的完整性，以及增进离子注入掩模用的光致抗蚀剂层的去除率。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 去除 方法 以及 半导体 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，包括：在一衬底上形成一栅极；在该衬底中形成一轻掺杂源极/漏极区；在该栅极的侧壁形成一间隙壁；对所裸露的该栅极、该间隙壁以及该衬底进行一前处理工艺；在该衬底上形成一图案化光致抗蚀剂层；以该图案化光致抗蚀剂层、该栅极和该间隙壁为掩模，进行离子注入工艺，以于该衬底中形成一源极/漏极区；以及去除该图案化光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
