[发明专利]具有内部隔片结构的金属镶嵌栅极场效应晶体管无效
| 申请号： | 200510119334.1 | 申请日： | 2005-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1790742A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 萨普莱蒂克·格哈;赫塞恩·I·哈纳菲;拉雅拉奥·杰米;保罗·M·索洛蒙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种MOSFET，其包括：位于源极扩展区和漏极扩展区之间的沟道，位于所述沟道之上的介质层，在所述介质层的周边部分上形成的栅极隔片结构，和布置在所述介质层的周边部分上的栅极；所述栅极至少下部被所述栅极隔片结构的内表面围绕，并与之接触，并且所述栅极在底部基本上与所述沟道对准。一种形成所述MOSFET的方法，其包括：形成所述介质层，在空腔内部形成栅极隔片结构和栅极接触，所述空腔是通过去除牺牲栅极和牺牲隔片结构形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内部 结构 金属 镶嵌 栅极 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括：源极扩展区；布置在所述源极扩展区上的源极接触；漏极扩展区；布置在所述漏极扩展区上的漏极接触；位于所述源极扩展区和所述漏极扩展区之间的沟道；位于所述沟道之上的介质层；布置在所述介质层的顶面的周边部分上的栅极隔片结构，其具有与所述顶面以直角相交的内表面；布置在所述介质层的所述顶面的非周边部分上的栅极，其至少下部被所述栅极隔片结构的内表面围绕，并与之接触；并且，所述栅极在底部基本上与所述沟道对准。
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