[发明专利]功率半导体装置

摘要

本发明提供一种抑制电涌的功率半导体装置。在功率半导体装置中，具备：串联连接的1对高压侧以及低压侧的功率开关半导体元件、反向连接在各功率开关半导体元件上的飞轮二极管、以及按每个功率开关半导体元件进行配置并基于输入信号向该功率开关半导体元件的栅极提供驱动信号的栅极驱动电路，并且，为抑制电涌的影响，例如在低压侧的栅极驱动电路和向该栅极驱动电路提供电源电压的控制电源电路之间插入二极管。或在栅极驱动电路和用于提供输入信号的输入端子之间插入二极管。

主权项

1.一种功率半导体装置，其特征在于，具备：功率开关半导体元件，由高压侧功率开关半导体元件和低压侧功率开关半导体元件的串联电路构成，直流电压源能够与该串联电路的两端相连接，并且，能够从上述高压侧功率开关半导体元件和低压侧功率开关半导体元件的连接点提供输出电压；飞轮二极管，与上述高压侧功率开关半导体元件和低压侧功率开关半导体元件分别反向并联；高压侧驱动电路，与上述高压侧功率开关半导体元件的栅极相连接；低压侧驱动电路，与上述低压侧功率开关半导体元件的栅极相连接；以及第2二极管，连接于与上述低压侧驱动电路以及上述高压侧驱动电路的至少1个驱动电路的端子相连接的线上，正向连接以使电流不由上述端子通过第2二极管进行流动。