[发明专利]半导体存储元件及半导体存储器件无效
| 申请号： | 200510119461.1 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1801392A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 安田心一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储元件和半导体存储器件。该半导体存储元件将数据作为电阻值的差来存储。上述存储元件包含MIS晶体管、二端可变电阻元件以及固定电阻元件。MIS晶体管具有栅。二端可变电阻元件连接在MIS晶体管的栅和第一电源端之间。可变电阻元件的电阻值根据在该可变电阻元件中流动的电流量或者该电流流动的方向改变，即使停止通电也会保持变化后的电阻值。固定电阻元件连接在MIS晶体管的栅和第二电源端之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储元件，包含：第一电源端和第二电源端；具有栅的MIS(金属-绝缘体-半导体)晶体管；二端可变电阻元件，连接在上述MIS晶体管的栅和上述第一电源端之间，该可变电阻元件的电阻值根据在该可变电阻元件中流动的电流量或者该电流流动的方向改变，但在切断电流时保持不变；以及固定电阻元件，连接在上述MIS晶体管的栅和上述第二电源端之间。
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