[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200510119489.5 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1773792A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 藏本恭介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/323;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是通过减少越过有源层内封闭电子用的电子势垒而溢出的电子来提供具备阈值电流小、微分效率高的良好的特性的半导体发光元件。使作为构成有源层20的阻挡层中最接近于p侧的阻挡层的最终阻挡层1的能带间隙比阻挡层2的能带间隙小。与使用与阻挡层2相同的能带间隙的材料作为最终阻挡层1的情况相比，可增大与电子势垒层3的能带不连续量(电子势垒)。其结果，可减少越过电子势垒而溢出的电子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，使用了具有在n型包层和p型包层之间夹住了有源层的结构的氮化物系列III-V族化合物半导体，其特征在于，上述有源层具有多个阻挡层和被上述阻挡层夹住而形成的阱层，上述多个阻挡层中最接近于上述p型包层一侧的最终阻挡层的能带间隙比上述最终阻挡层以外的阻挡层的能带间隙小。
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