[发明专利]掺钕钼酸钇钠激光晶体及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 200510119538.5 申请日: 2005-11-14
公开(公告)号: CN1966780A 公开(公告)日: 2007-05-23
发明(设计)人: 王国富;李修芝;林州斌;张莉珍 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 掺钕钼酸钇钠激光晶体及其制备方法和用途涉及人工晶体领域。采用提拉法,在1140℃左右,以10~30转/分钟的晶体转速,0.5~1毫米/小时的拉速,生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:NaY(MoO4)2晶体。该晶体是一种新型的激光晶体,可产生1060nm左右波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
搜索关键词: 钼酸 激光 晶体 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种掺钕钼酸钇钠激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为 Nd3+:NaY(MoO4)2,钕离子的掺杂浓度在0.5at.%~15at.%之间,属于四方晶 系,空间群为I4(1)/a,晶胞参数为a=b=5.20,c=11.33,V=3063, Dc=4.69g/cm3
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