[发明专利]掺钕硼酸镧激光晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200510119540.2 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1966146A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王国富;范俊梅;林州斌;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | B01J29/22 | 分类号： | B01J29/22;B01J15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 掺钕硼酸镧激光晶体的制备方法，涉及光电子材料技术领域。采用熔盐提拉法来生长Nd3+:LaBO3晶体。该方法采用Li3BO3为助熔剂，在1300－1400℃的温度区间内，以15－40转/分钟的晶体转速，0.5－2.0毫米/小时的晶体拉速，生长出了高质量、大尺寸的掺钕硼酸镧(Nd3+:LaBO3)晶体。该方法得到的掺钕硼酸镧(Nd3+:LaBO3)晶体与传统熔盐法制备的同种基质晶体相比，前者在尺寸、质量方面都远远优于后者。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 激光 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺钕硼酸镧激光晶体的制备方法，其特征在于：采用熔盐提拉法。
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