[发明专利]接合的硅元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510119910.2 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1790645A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | C·J·罗杰斯 | 申请（专利权）人： | 穆丹制造公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/427 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张祖昌 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种热管外壳组件(22)，包括一对硅外壳片(24、26)和在外壳(24、26)之间的接合连接(42)，具有优选包括共晶体层(43)的接合连接(42)。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造由硅制成的热管外壳的方法，该方法包括步骤：提供在低于硅的熔点的温度下与硅形成共晶体的材料；在两片热管外壳的两个硅表面之间夹入一材料层；和加热该材料的该夹入的层和两个硅表面至共晶温度与硅的熔点之间的温度，并保持该夹入的材料层和两个硅表面在共晶温度与硅的熔点之间，直到该材料和硅相互扩散以在该两片之间形成接合连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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