[发明专利]沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备有效
| 申请号： | 200510119945.6 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1766731A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | M·M·J·W·范赫彭;V·Y·巴尼内;J·H·J·莫尔斯;C·I·M·A·斯皮;D·J·W·克鲁德;P·C·扎姆 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积物 去除 光学 元件 保护 方法 器件 制造 光刻 设备 | ||
【主权项】：
1、一种用于去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，所述方法包括：在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的该光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除该沉积物的至少一部分。
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