[发明专利]具有可选金属栅极材料的非易失性半导体存储器件

摘要

一种非易失半导体存储器件，它包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间提供的沟道区的衬底，以及位于沟道区上部的栅极堆叠和位于栅极堆叠上部的金属栅极。金属栅极是由相对栅极堆叠的复合层具有特定金属逸出功的金属构成的，以使电子通过直接隧穿效应贯穿阻挡层的整个厚度。栅极堆叠优选地包括一种选自由ONO、ONH、OHH、OHO、HHH或HNH构成的多层堆叠组的多层堆叠，其中O为氧化物材料、N为SiN、H为高κ材料。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：衬底，所述衬底包括源区、漏区和在所述源区和所述漏区之间提供的沟道区；以及位于所述沟道区上方的栅极堆叠，所述栅极堆叠包括顺序堆叠的隧道层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅极，其中所述隧道介电层与所述沟道区相邻，并且其中所述控制栅极是由当阻挡层包括SiO2时具有等于或大于4.4eV的特定金属逸出功的金属构成的金属栅极。