[发明专利]具有密封膜的芯片尺寸的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510119959.8 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1790686A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 若林猛;三原一郎 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片尺寸的半导体装置，其实质上包括：具有集成电路和连接焊盘(2)的半导体基板(1)；与上述连接焊盘(2)电连接的外部连接用电极(9)；设置在上述外部连接用电极(9)的周围的上述半导体基板(1)上的第一密封材料(10)，上述第一密封材料(10)中含有的Na离子、K离子、Ca离子和Cl离子的各杂质浓度在10ppm以下；和至少设置在上述半导体基板(1)的下表面及其周边侧面上的第二密封材料(12)，上述第二密封材料(12)中含有的Na离子、K离子、Ca离子和Cl离子的总杂质浓度在100ppm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 密封 芯片 尺寸 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板(1)，其具有集成电路和连接焊盘(2)；外部连接用电极(9)，其与所述连接焊盘(2)电连接；第一密封膜(10)，其设置在所述外部连接用电极(9)的周围的所述半导体基板(1)上；在所述第一密封膜(10)中含有的Na离子、K离子、Ca离子和Cl离子的各杂质浓度在10ppm以下；和第二密封膜(12)，其设置在所述半导体基板(1)的下表面以及周边侧面的至少任一个上；所述第二密封膜(12)中含有的Na离子、K离子、Ca离子和Cl离子的合计杂质浓度在100ppm以上。
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