[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510119980.8 | 申请日： | 2005-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1790743A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 上野哲嗣;李化成;李浩;申东石;李承换 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/38;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的晶体管包括具有{100}晶面的第一表面、高度低于第一表面的{100}晶面的第二表面和将第一表面连接到第二表面的{111}晶面的第三表面的半导体衬底。在第二表面下面形成第一重掺杂杂质区。在第一表面上形成栅极结构。在第二表面和第三表面上形成外延层。在栅极结构的两侧形成第二重掺杂杂质区。第二重掺杂杂质区具有{111}晶面的侧面，从而防止在杂质区之间产生短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：半导体衬底，具有{100}晶面的第一表面、高度低于所述第一表面的{100}晶面的第二表面和将所述第一表面连接到所述第二表面的{111}晶面的第三表面；在所述第二表面下面形成的第一重掺杂杂质区；在所述第一表面上形成的栅极结构；在所述第二表面和所述第三表面上形成的外延层；以及靠近所述栅极结构两侧形成的第二重掺杂杂质区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510119980.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
