[发明专利]电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510119998.8 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1790569A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 内田清志;堀野贤治;齐田仁 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种相对介电常数高、漏电流密度小、物理特性和电气特性稳定的电介质薄膜，并且提供高容量且高可靠性的薄膜电容器等薄膜电介质元件及其制造方法。薄膜电介质元件制造方法含有具有由组成式(BaxSr (1－x))aTiO3 (0.5＜x≤1.0、0.96＜a≤1.00)表示的氧化物、例如钛酸钡锶且厚度为500nm以下的电介质薄膜、以及在导电电极上形成该电介质薄膜之后在氧化性气氛中进行退火工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 薄膜 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电介质薄膜，其为含有由组成式(BaxSr(1-x))aTiO3表示的氧化物的电介质薄膜，其特征在于：表示组成比的符号x、a为0.5＜x≤1.0、0.96＜a≤1.00，厚度为500nm以下。
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