[发明专利]有机EL元件激光修复方法及激光修复装置无效
申请号: | 200510120019.0 | 申请日: | 2005-11-08 |
公开(公告)号: | CN1909752A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | 赤津光俊;三浦伸仁;筒井长德 | 申请(专利权)人: | 株式会社ITES |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;G01R31/00;G01N21/88 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种通过精确掌握有机EL元件的缺陷区的位置,用激光局部照射缺陷区,使存在区陷区的象素在不丧失该象素内的有机EL元件的全部功能的条件下,既保留缺陷部分以外的有机EL元件的发光功能,又只局部修复该象素内的有机EL元件中的有缺陷区的方法和装置。测定有机EL元件的电压电流特性,通过比较该电压电流特性与规定的基准电压电流特性,判定有无漏泄电流,通过给有机EL元件施加低于发光阈值的电压,取得漏泄发光图像,通过给漏泄发光部分照射激光进行修复,当通过给有机EL元件施加低于阈值电压而未发现漏泄发光图像,以及当通过测定的电压电流特性,发现漏泄电流减少了时可确认已正确修复。 | ||
搜索关键词: | 有机 el 元件 激光 修复 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法,其特征在于,该修复方法包括以下步骤:(a)通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压(下面也称之为“低于阈值电压”)取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的图像(下面也称之为“低于阈值的元件图像”);(b)通过观察上述步骤(a)中取得的上述低于阈值的元件图像,当在上述低于阈值的元件图像中发现了发光的图像(下面也称之为“漏泄发光图像”)的情况下,通过用鼠标点击显示该发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像,即可掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息,根据该位置信息,用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置,当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法;(c)对在上述步骤(b)中照射了激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压,取得施加上述低于阈值电压状态下的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像,通过在上述低于阈值的元件图像中也未能发现上述步骤(b)中发现的上述漏泄发光图像,即可判定修复工作已正常完成。
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