[发明专利]固态成像器件有效
| 申请号： | 200510120035.X | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1838419A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 小林博;山本克义;井上忠夫;水口寿孝 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;郑特强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种固态成像器件，其具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方，以及比第一多层金属化结构薄的第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 器件 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像器件，包括：衬底，其中形成具有多个像素的像素阵列部分和位于该像素阵列部分周围的外围电路部分；第一多层金属化结构，其形成在该外围电路部分上方；以及第二多层金属化结构，其比第一多层金属化结构薄，且形成在该像素阵列部分上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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