[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510120089.6 | 申请日： | 2005-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1790642A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 佐藤好弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够抑制阈值电压及漏极电流的随时间变化的半导体装置的制造方法。本发明的第1实施方式的半导体装置制造方法中，在半导体衬底(10)中离子注入氟素后，在半导体衬底(10)上形成栅极绝缘膜(14A)、栅极电极(15A)及保护绝缘膜(16A)，然后再次注入氟素。还形成p型源极·漏极扩张区域(18)及源极·漏极区域(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征为：包括：工序a，向半导体衬底离子注入氟素；工序b，在上述工序a之后，在上述半导体衬底上形成栅极绝缘膜；工序c，在上述栅极绝缘膜上形成栅极电极；工序d，在上述半导体衬底中位于上述栅极电极侧边下方的区域上，形成p型源极·漏极扩张区域；工序e，在上述工序c以后，向位于上述半导体衬底中的上述栅极电极侧边下方区域离子注入氟素；工序f，在上述工序d及上述工序e之后，形成位于上述栅极电极侧面上的侧壁；以及工序g，在上述半导体衬底中位于上述侧壁侧边下方的区域上形成p型源极·漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
