[发明专利]存储器和半导体设备无效
| 申请号： | 200510120135.2 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1790540A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 八野英生;森宽伸;冈崎信道;荒谷胜久 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C16/06;H01L27/10;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储器包括：以矩阵形式排列的存储元件，每个存储元件具有下述特性，当将电平等于或者高于第一阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从高值变为低值，以及当将电平等于或者高于第二阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从低值变为高值，所述第一和第二阈值信号的极性彼此不同；电路，用于施加电信号给存储元件；以及检测单元，每个用于测量从开始施加电信号时起流过对应存储元件的电流或者施加给对应存储元件的电压，以便检测电阻是高还是低。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：以矩阵形式排列的存储元件，每个存储元件具有下述特性，当将电平等于或者高于第一阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从高值变为低值，而当将电平等于或者高于第二阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从低值变为高值，第一和第二阈值信号的极性彼此不同；电路，用于施加电信号给存储元件；以及检测装置，每个用于测量从对应的电路开始向存储元件施加电信号时起流过对应存储元件的电流或者施加给存储元件的电压，以便检测存储元件的电阻是高还是低。
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