[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其操作方法有效
| 申请号： | 200510120231.7 | 申请日： | 2005-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1791185A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 南丁铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其操作方法。所述CMOS图像传感器包括具有像素矩阵的像素阵列单元，其中每个像素包括电荷转移元件，用于将在光电转换元件中收集的电荷转移到电荷检测元件；和行驱动单元，用于在所述光电转换元件的电荷累积周期的部分期间将电压提供给电荷转移元件，其中所提供的电压使得所述电荷转移元件具有负电势。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：具有像素矩阵的像素阵列单元，其中每个像素包括电荷转移元件，用于将在光电转换元件中收集的电荷转移到电荷检测元件；和行驱动单元，用于在所述光电转换元件的电荷累积周期的部分期间将电压提供给电荷转移元件，其中所提供的电压使得所述电荷转移元件具有负电势。
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