[发明专利]半导体激光器件制造方法和半导体激光器件无效
| 申请号： | 200510120290.4 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1773790A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 竹冈忠士;石仓卓郎 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体激光器件制造方法，依次包括：第一老化步骤S1、第一检查步骤S2、安装步骤S3、第二老化步骤S4和第二检查步骤S5。由于在半导体激光器芯片上以高温直流电流通电的第一老化步骤S1在安装步骤S3之前执行，因此能够减小安装前半导体激光器芯片的阈值电流和驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件制造方法，包括：第一老化步骤，用于在不低于储存温度的设定环境温度下，使直流电流流过半导体激光器芯片一设定时间；以及安装步骤，用于安装已经进行过所述第一老化步骤的所述半导体激光器芯片。
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