[发明专利]电致发光元件及其形成方法无效

专利信息
申请号: 200510120299.5 申请日: 2005-11-09
公开(公告)号: CN1790730A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: 孙文堂 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/15;H01L21/82;H05B33/12;H05B33/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种电致发光元件(electroluminescence device;EL device)及其形成方法,电致发光元件包括一基板以及形成于该基板内的多个像素,每一像素包括一第一区域以及第二区域。第一区域包括至少一第一电容与第二电容,第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层,第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层。第二区域包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。根据本发明,可大幅提升储存电容值而不会降低开口率。
搜索关键词: 电致发光 元件 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种电致发光元件,包括:一基板;以及多个像素,形成于该基板内,每一像素位于一各别的像素区域内,每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域,每一像素包括:至少一第一电容与第二电容于该第一区域内,该第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层,而第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层;以及形成于该基板上第二区域内的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。
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