[发明专利]电致发光元件及其形成方法无效
申请号: | 200510120299.5 | 申请日: | 2005-11-09 |
公开(公告)号: | CN1790730A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 孙文堂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;H01L21/82;H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种电致发光元件(electroluminescence device;EL device)及其形成方法,电致发光元件包括一基板以及形成于该基板内的多个像素,每一像素包括一第一区域以及第二区域。第一区域包括至少一第一电容与第二电容,第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层,第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层。第二区域包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。根据本发明,可大幅提升储存电容值而不会降低开口率。 | ||
搜索关键词: | 电致发光 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电致发光元件,包括:一基板;以及多个像素,形成于该基板内,每一像素位于一各别的像素区域内,每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域,每一像素包括:至少一第一电容与第二电容于该第一区域内,该第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层,而第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层;以及形成于该基板上第二区域内的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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