[发明专利]具有环形硅退耦电容器的集成电路芯片封装及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体封装及其制造方法，其特征在于减小同时开关噪声的环形硅退耦电容器。该退耦电容器利用晶片制造工艺由硅制造在基板上且采用环形电容结构的形式，该环形电容结构围绕基板上安装的集成电路(IC)的周边延伸。该退耦电容器具有芯片级或低于芯片级的减小的厚度且代替传统电源/接地环。因此，该退耦电容器能够设置在封装内而不增加该封装的厚度和尺寸。该退耦电容器可连接到各种电源引脚，允许优化的导线键合、缩短的电连接、及减小的电感。连接到退耦电容器的键合导线具有较高的电阻率，降低了共振频率的峰且因此减小了同时开关噪声。

主权项

1.一种集成电路(IC)芯片封装，包括：电路基板，其包括上表面、下表面、以及形成在所述上表面上的多个键合指；至少一个IC芯片，其设置在所述电路基板的所述上表面上且包括多个第一输入/输出(I/O)端子和多个第二I/O端子；退耦电容器，其在所述电路基板的所述上表面上沿围绕所述IC芯片的确定周边至少部分地延伸；多个第一键合导线，其将所述IC芯片的所述第一I/O端子电连接到所述电路基板的所述键合指；以及多个第二键合导线，其将所述IC芯片的所述第二I/O端子电连接到所述退耦电容器，其中所述退耦电容器包括形成在其上的多个键合焊盘和形成在其中的多个连接通路，其中所述键合焊盘连接到所述第二键合导线，且其中所述连接通路将所述键合焊盘电连接到所述电路基板的所述上表面。