[发明专利]半导体集成电路器件、以及制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200510120425.7 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1773859A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 小岛诚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS集成电路，其能够在相当高的电源电压上进行操作，该器件包括：第一MOS型晶体管，其具有通过在漏极端处的低浓度区域而与栅极接触的漏极剖面，其中，所述低浓度区域具有等于或低于与电源电压相对应的预定浓度的杂质浓度；以及具有相同极性的第二MOS型晶体管和传输门，其连接到第一MOS型晶体管的栅极，其中，通过被施加了预定电位(防护电压)的第二MOS型晶体管和传输门，而将栅极电压施加到第一MOS型晶体管的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路器件，其具有能够在相当高的电源电压上进行操作的CMOS集成电路，该器件包括：第一MOS型晶体管，其具有通过在漏极端处的低浓度区域而与栅极接触的漏极剖面，其中，所述低浓度区域具有等于或低于与电源电压相对应的预定浓度的杂质浓度；以及具有相同极性的第二MOS型晶体管和传输门，其连接到第一MOS型晶体管的栅极，其中，通过被施加了预定电位(防护电压)的第二MOS型晶体管和传输门，而将栅极电压施加到第一MOS型晶体管的栅极。
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