[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200510120679.9 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1982997A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 颜子旻;赖建廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、设置在该绝缘基底上的一栅极线及一存储电容电极线、一设置在该栅极线、该存储电容电极线及该绝缘基底上的绝缘层以及一设置在该绝缘层上的像素电极，该存储电容电极线与该像素电极形成一存储电容，该栅极线包括一第一金属层及位于该第一金属层上的第二金属层，该第一金属层及该存储电容电极线的材料都为高反射率金属。本发明的薄膜晶体管基板的像素单元亮度较高。本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、设置在该绝缘基底上的一栅极线及存储电容电极线、一设置在该栅极线、该存储电容电极线及该绝缘基底上的绝缘层及一设置在该绝缘层上的像素电极，该存储电容电极线与该像素电极形成一存储电容，其特征在于：该栅极线包括一第一金属层及位于该第一金属层上的第二金属层，该第一金属层及该存储电容电极线的材料都为高反射率金属。
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