[发明专利]低温度系数带隙基准参考电压源

摘要

本发明涉及一种低温度系数带隙基准参考电压源，包括PTAT电流产生电路、基准电压启动电路、基准电压合成电路、基极电流抵消电路、第一电流镜像电路，其中该低温度系数带隙基准参考电压源还包括二阶温度补偿电流产生电路，与所述第一电流镜像电路、基准电压合成电路相连，输入PTAT电流、带隙基准电压，通过利用MOS管漏源电流与栅源压差的平方关系，产生二阶补偿电流并输出至基准电压合成电路产生二阶补偿电压，补偿基准电压的二阶温度系数，产生极低温度系数的基准电压。本发明克服了经典带隙基准电压的温度系数偏高的问题，通过采用标准CMOS工艺即可实现极低温度系数的带隙基准电压，有效地降低对工艺的要求。

主权项

1、一种低温度系数带隙基准参考电压源，包括以下电路：PTAT电流产生电路，用于产生PTAT电流IPTAT；基准电压启动电路，与所述PTAT电流产生电路相连，用于克服PTAT电流产生电路的零电流工作点，确保PTAT电流IPTAT能够产生；基准电压合成电路，与所述PTAT电流产生电路输出端相连，用于产生基准电压；基极电流抵消电路，与所述基准电压合成电路相连，用于抵消该基准电压合成电路中晶体管产生额外基极电流，保证基准电压的正确产生；第一电流镜像电路，用于将所述PTAT电流产生电路所生成PTAT电流镜像复制，并分别输出至所述PTAT电流产生电路、基准电压启动电路、基准电压合成电路及基极电流抵消电路，其特征在于：该低温度系数带隙基准参考电压源还包括二阶温度补偿电流产生电路，与所述第一电流镜像电路、基准电压合成电路相连，输入IPTAT电流、带隙基准电压，通过利用MOS管漏源电流与栅源压差的平方关系，产生二阶补偿电流并输出至基准电压合成电路产生二阶补偿电压，补偿基准电压的二阶温度系数，产生极低温度系数的基准电压。