[发明专利]超低温二极管玻壳无效
| 申请号： | 200510122798.8 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1810690A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 沈上达 | 申请（专利权）人： | 建大电子（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C03C3/07 | 分类号： | C03C3/07;H01L23/08 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215129江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低温二极管玻壳，其原料包括：PbO70－73.5％、SiO224－28％、K2O1.05－2.55％；本发明的封接温度比目前市场使用的低温料还低40℃，由于封接温度超高，二极管的电性能超差，所以本发明对引线、芯片的电性能影响比较小，本发明比较低的封接温度，可导致企业能源消耗也随之降低，封接温度的降低，可以使二极管的生产时间缩短，从而提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 超低温 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种超低温二极管玻壳，其原料包括：PbO 70-73.5％SiO2 24-28％K2O 1.05-2.55％。
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