[发明专利]半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510122923.5 申请日: 2005-12-05
公开(公告)号: CN1789998A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: 王彩娟;胡效亚 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;H01L21/00
代理公司: 扬州市锦江专利事务所 代理人: 江平
地址: 225009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法,本发明涉及一种纳米电极的制造技术,将直径为微米级的碳纤维或碳管或碳棒通过银导电胶与铜丝相连,在碱性溶液中用电化学方法进行刻蚀,待碳材料在溶液与空气界面发生断裂产生纳米级的尖端后,用直流稳压电源在碳材料表面电泳沉积绝缘层,经加热绝缘层固化至电极完全绝缘,然后将绝缘后电极用胶密封在塑料管中,胶干后,打磨抛光或激光刻蚀,直至暴露出碳材料的尖端,即得在铁氰化钾的氯化钾溶液中出现良好的“S”形极限稳态伏安曲线的碳纳米圆盘电极。
搜索关键词: 半径 小于 500 nm 纳米 圆盘 电极 制造 方法
【主权项】:
1、半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法,其特征在于将直径为微米级的碳纤维或碳管或碳棒通过银导电胶与铜丝相连,在碱性溶液中用电化学方法进行刻蚀,待碳材料在溶液与空气界面发生断裂产生纳米级的尖端后,用直流稳压电源在碳材料表面电泳沉积绝缘层,经加热绝缘层固化至电极完全绝缘,然后将绝缘后电极用胶密封在塑料管中,胶干后,打磨抛光或激光刻蚀,直至暴露出碳材料的尖端,即得碳纳米圆盘电极。
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