[发明专利]存储单元、像素结构以及存储单元的制造方法有效
| 申请号： | 200510123233.1 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1967362A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈宏泽;陈麒麟;陈昱丞 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储单元，此存储单元适于设置于基板上，且此存储单元包括岛状多晶硅层、第一介电层、浮获层、第二介电层以及控制栅极。其中，岛状多晶硅层设置于基板上，且岛状多晶硅包括源极掺杂区、漏极掺杂区以及位于源极掺杂区与漏极掺杂区之间的通道区，且该通道区的表面上具有多个规律排列的尖端。第一介电层设置于岛状多晶硅层上，浮获层设置于第一介电层上，而第二介电层设置于浮获层上，且控制栅极设置于第二介电层上。上述存储单元可整合在低温多晶硅液晶显示面板或有机发光二极管显示面板的制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 像素 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，适于设置于基板上，其特征是该存储单元包括：岛状多晶硅层，设置于该基板上，其中该岛状多晶硅层包括源极掺杂区、漏极掺杂区以及位于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间的通道区，且该通道区的表面上具有多个规律排列的尖端；第一介电层，设置于该岛状多晶硅层上；浮获层，设置于该第一介电层上；第二介电层，设置于该浮获层上；以及控制栅极，设置于该第二介电层上。
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