[发明专利]化学蒸镀装置有效
| 申请号： | 200510123337.2 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1891855A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 柳光浚;安德烈·尤莎科夫;吴成泰;郑敬锡;郑和俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;B05B1/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;李友佳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化学蒸镀装置(CVD)，该装置包含：形成反应室的反应器，该反应室上部具有用于供应反应气体的气体流入孔；在所述反应室内用于支持作业物的支持台；用于从所述气体流入孔将反应气体喷射于所述作业物上的、具有喷嘴单元的喷头，该喷嘴单元设有从中心轴线到径向外侧流动长度逐渐变长的多个喷嘴孔。由此，本发明提供一种可以均匀地形成蒸镀膜的化学蒸镀装置。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 装置 | ||
【主权项】：
1、一种化学蒸镀装置，其特征在于包含：形成反应室的反应器，该反应室上部具有用于供应反应气体的气体流入孔；在所述反应室内用于支持作业物的支持台；用于从所述气体流入孔将反应气体喷射于所述作业物上的、具有喷嘴单元的喷头，该喷嘴单元设有从中心轴线到径向外侧流动长度逐渐变长的多个喷嘴孔。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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