[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510123360.1 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1794442A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡邦彦;张志坚;杨婷羽;李资良;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离区于基材中，以隔离一主动区与一虚设主动区；移除主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，第一开口暴露出基材；移除虚设主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第二开口，第二开口暴露出基材；以及同时在第一开口与第二开口中的基材上进行一选择性磊晶成长步骤。藉由第二开口的导入，而磊晶成长发生于第二开口中，图案密度更为均匀，因此可降低图案负载效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构的制造方法，其特征在于其至少包括以下步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离区于该基材中，以隔离一主动区与一虚设主动区；移除该主动区中该罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，该第一开口暴露出该基材；移除该虚设主动区中该罩幕层的至少一部分，而形成一第二开口，该第二开口暴露出该基材；以及同时在该第一开口与该第二开口中的该基材上进行一选择性磊晶成长步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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