[发明专利]半导体芯片的直接电性连接覆晶封装结构

摘要

本发明的半导体芯片的直接电性连接覆晶封装结构包括：至少一介电层；至少一半导体芯片，且该半导体芯片主动面形成有电性连接垫，并以其主动面接置在该介电层上；以及至少一线路层，形成于该介电层上未供接置半导体芯片的一侧，且该线路层借由多个形成于该介电层中的导电电极，电性连接到该半导体芯片上的电性连接垫；本发明整合了半导体芯片与芯片承载件的接置与电性连接结构，简化半导体业制程步骤、降低成本以及简化接口的整合，同时增加结构空间利用的灵活性，提升半导体装置的电性功能，在提升芯片的散热效能的同时，使该半导体封装结构更具薄型化。

主权项

1.一种半导体芯片的直接电性连接覆晶封装结构，其特征在于，该半导体芯片的直接电性连接覆晶封装结构包括：至少一半导体芯片，该半导体芯片具有一主动面与非主动面，且该半导体芯片的主动面形成有电性连接垫；至少一介电层，形成于半导体芯片的主动面，且该介电层的面积略大于该主动面，及该半导体芯片的非主动面能够直接外露；以及至少一线路层，形成于该介电层上未供接置半导体芯片的一侧，且该线路层是借由多个形成于该介电层中的导电电极电性连接到该半导体芯片上的电性连接垫。