[发明专利]高分子导电膜结构及其半导体组件封装结构有效
| 申请号： | 200510124004.1 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1971896A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 汪若蕙;陈有志 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高分子导电膜结构及其半导体组件封装结构，是以高分子与纳米导线构成的复合导电膜结构，使芯片通过高分子导电膜的数条纳米导线以低温低压金属接合方式与另一芯片电性连接，达到低接点阻抗的接合；且本发明的导电膜提供单一导电方向及多层相互间隔平行的数条导线，可应用于极小间距的芯片与芯片之间的电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 导电 膜结构 及其 半导体 组件 封装 结构 | ||
【主权项】：
1、一种高分子导电膜结构，其特征在于，包括有：具有单一导电方向的一高分子导电膜本体，具有数条相互平行间隔的导线及填充于该数条导线间隙的一高分子材料，其中在该高分子导电膜本体的至少一侧边形成至少一开孔，数条导线的至少一端暴露于该开孔处。
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