[发明专利]具间隙壁的光传感器封装结构无效
申请号: | 200510124112.9 | 申请日: | 2005-11-24 |
公开(公告)号: | CN1971925A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 陈柏宏 | 申请(专利权)人: | 矽格股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种具间隙壁的光传感器封装结构,其是利用间隙壁的位置与尺寸,来达到阻止外来污染物污染光感测区域与局限胶体层的溢流范围于两胶体层间,避免现有技术的胶体溢流污染光感测区域与金属球的情况再次发生,特别是本发明的封装结构能缩小封装面积并且使产品的优良率与品质大幅度提升。 | ||
搜索关键词: | 间隙 传感器 封装 结构 | ||
【主权项】:
1.一种具间隙壁的光传感器封装结构,其特征在于,包含有:一透光基板,其表面上设置有金属布线;一光感测组件,其上具有一光感测区域、多数个焊垫与多数个位于该焊垫上用以与该金属布线形成电性连接的金属连接点;以及一第一间隙壁,其是位于该光感测组件的该光感测区域与该焊垫之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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