[发明专利]用于形成有源像素传感器单元结构的方法

摘要

一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构，所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区，所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料，并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层，并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸，相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入，提出了两种方法：1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻；或者，2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。

主权项

1.一种用于形成有源像素传感器(APS)单元结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一导电类型的衬底；b)接近具有所述第一导电类型的表面钉扎层的邻近光敏器件的位置形成沟槽隔离；c)形成在衬底表面上构图的光致抗蚀剂层，以露出所述隔离沟槽的侧壁部分；d)改变所述构图的光致抗蚀剂层的尺寸，以便于在所述露出的侧壁部分中离子注入杂质材料；以及e)形成杂质区，所述杂质区包括沿所述露出的隔离沟槽侧壁部分的所述第一导电类型的注入杂质材料，并适于将形成的钉扎层电连接至所述衬底。