[发明专利]半导体器件检查装置无效
| 申请号： | 200510124312.4 | 申请日： | 2000-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1797733A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄;辻出彻 | 申请（专利权）人： | 法梭半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B15/00;G01N23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于获取关于一个或多个孔的信息的系统，所述一个或多个孔设置于半导体晶片中或设置于在所述半导体晶片上或之上所设置的层中。所述系统包括：发射电子束的电子枪；测量补偿电流的电流测定装置，其中，所述补偿电流响应于发射到所述一个或多个孔上的电子束而产生；以及数据处理器，耦合到所述电流测定装置，以使用由所述电流测定装置所测量的补偿电流的量来确定与所述一个或多个孔的底直径或底周长相关的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 检查 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于获取关于一个或多个孔的信息的系统，所述一个或多个孔设置于半导体晶片中或设置于在所述半导体晶片上或之上所设置的层中，所述系统包括：发射电子束的电子枪；测量补偿电流的电流测定装置，其中所述补偿电流响应于发射到所述一个或多个孔上的电子束而产生；以及数据处理器，耦合到所述电流测定装置，以使用由所述电流测定装置所测量的补偿电流的量来确定与所述一个或多个孔的底直径或底周长相关的信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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