[发明专利]以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法有效
申请号: | 200510124394.2 | 申请日: | 2005-11-29 |
公开(公告)号: | CN1855388A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 吴启明;周士惟;林正堂;张志维;眭晓林 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法。实施例包括:形成多层堆叠排列结构,其中此多层堆叠排列结构包括位于基材上的添加物层,和位于添加物层上的金属层;以及对多层堆叠排列结构进行退火,藉以在基材上形成金属硅化物层,其中此金属硅化物层包含来自于添加物层的添加物。其他实施例至少包括蚀刻多层堆叠排列结构,以移除不反应层。在另一实施例中,多层堆叠排列结构包括位于基材上的金属层、位于金属层上的添加物层,以及可选择性地位于添加物层上的氧阻障层。根据上述实施例所形成的金属硅化物,在高温制程中特别能够抵抗结块现象。 | ||
搜索关键词: | 添加物 改善 金属硅 化物热 稳定 方法 | ||
【主权项】:
1、一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法,其特征在于其包括以下步骤:于一基材上形成一多层堆叠排列结构,其中该多层堆叠排列结构至少包括一添加物层以及一金属层;对该多层堆叠排列结构进行一热制程,藉以在该基材上形成一金属硅化物层,其中该金属硅化物层至少包括来自该添加物层的一添加物;以及蚀刻该多层堆叠排列结构,以去除一未反应材料层。
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