[发明专利]一种纳米线宽样板及其制备方法无效
| 申请号： | 200510124593.3 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1786655A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋庄德;朱明智;景蔚萱;张卉;赵凤霞 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01B3/00 | 分类号： | G01B3/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国智 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线宽样板及其制备方法。它是采用等离子体增强化学气相沉积工艺和射频磁控溅射工艺在硅片(19)上交替沉积多层氮化硅薄膜(20)、(22)、(24)、(26)和铬薄膜(21)、(23)、(25)，其中铬薄膜(21)、(23)、(25)的厚度等于所需要的纳米线宽样板的线宽；对沉积有多层薄膜的硅片(11)进行划片，然后采用左夹持块(13)和右夹持块(15)夹持沉积有多层薄膜的硅片(11)，将多层膜硅片(11)的截面(10)作为纳米线宽样板的表面；接着，在左右夹持块(1)、(15)所形成的凹槽(17)内注入环氧树脂(14)并固化；最后，依次用金相砂纸、氧化铝悬浊液打磨、抛光沉多层膜硅片(11)的截面(10)，最后形成纳米线宽样板的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 样板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米线宽样板，包括由螺栓组件(12)连接的左右对称的左夹持块(13)和右夹持块(15)，其特征是，所述的左夹持块(13)和右夹持块(15)之间夹持有多层膜硅片(11)，并以该多层膜硅片(11)的横截面(10)为纳米线宽样板的表面，多层膜硅片(11)相对于左、右夹持块间的凹槽(17)内填有粘接层(14)。
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