[发明专利]半导体存储器件中使用的存储体选择信号控制电路和方法无效

专利信息
申请号: 200510124629.8 申请日: 2005-11-14
公开(公告)号: CN1790545A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: 郭镇锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C11/409;G11C7/00;G11C8/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 存储器存储体选择控制电路和方法,改善多存储体半导体存储器结构中数据检测放大器的数据检测余量。存储体选择信号控制电路包括存储体开关控制单元,接收存储器存储体选择信号并将对应的存储器存储体选择控制信号输出以根据预定顺序选择地连接存储器存储体到全局数据输入/输出线。存储体开关控制单元对在预定顺序中最后选择的存储器存储体之前选择的存储器存储体,输出被使能第一时间段P1的存储器存储体选择控制信号;对最后选择的存储器存储体,输出被使能第二时间段P2的存储器存储体选择控制信号,P2大于P1。开关单元,根据预定顺序响应于对应的存储体选择控制信号,顺序地连接选择的存储器存储体到全局数据输入/输出线一预定时间段P1或P2。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 使用 选择 信号 控制电路 方法
【主权项】:
1.一种用于半导体存储器件的存储体选择信号控制电路,该电路包括:存储体开关控制单元,其接收存储器存储体选择信号并且将对应的存储器存储体选择控制信号进行输出,以根据预定的顺序选择性地将存储器存储体连接到全局数据输入/输出线,其中对于在最后选择的存储器存储体之前选择的、以预定顺序的每个所选择的存储器存储体,存储体开关控制单元输出对于第一时间段P1被使能的存储器存储体选择控制信号,并且其中对于以预定顺序的最后选择的存储器存储体,存储体开关控制单元输出对于第二时间段P2被使能的存储器存储体选择控制信号,其中P2大于P1;以及开关单元,其根据预定的顺序,响应于对应的存储体选择控制信号,将每个选择的存储器存储体顺序地连接到全局数据输入/输出线一预定的时间段P1或P2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510124629.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top