[发明专利]磁阻元件，磁阻磁头，磁记录设备以及磁存储器有效
| 申请号： | 200510124691.7 | 申请日： | 2005-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1801332A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;汤浅裕美;鸿井克彦;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08;H01F10/10 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;张惠萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁头 记录 设备 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件，其特征在于，包括：磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层；磁化方向取决于外场变化的磁化自由层；以及分隔层，包括设置在磁化固着层与磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分开的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于每个晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的晶界区域上形成。
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