[发明专利]硅或含硅材料中的超薄掩埋绝缘体无效
| 申请号： | 200510124801.X | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1776894A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈自强;伯纳德·S·迈耶森;德文德拉·K·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于形成超薄掩埋氧化物层的方法，包括步骤：在含Si衬底上形成含Si的第一外延层，其具有约10到约300埃的厚度；形成含硅的第二外延层，其具有约100埃到约1微米的厚度；以及在含氧气氛中在1200℃至1400℃的温度退火所述衬底。本发明克服了退火期间掩埋氧化物破裂成氧化物岛的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 中的 超薄 掩埋 绝缘体 | ||
【主权项】：
1.一种用于在含Si衬底中形成超薄掩埋氧化物层的方法，包括步骤：在所述衬底上形成含硅的第一外延层，其具有约10到约300埃范围内的厚度；在所述第一外延层上形成含硅的第二外延层，其具有约100埃到约1微米范围内的厚度；以及在含氧气氛中在约1200℃至1400℃范围内的温度退火所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
